Объём накопителя | 512Gb |
Форм-фактор | 2.5" |
Интерфейс | S-ATA3 |
Скорость чтения | до 560 Мб/с |
Скорость записи | до 500 Мб/с |
Время наработки на отказ | 2 100 000 часов при 20гр.Цельсия |
Тип памяти | 3D TLC NAND |
Физический размер(д*ш*в) | 100 * 69.85 * 6.90мм |
Вес | 33гр. |
Страна производства | Тайвань |
Потребляемая мощность | 0.3 - 1.1 Вт. |
TBW | 100Tb |
Поддержка секторов размером 4 КБ | да |
Объём накопителя 512Gb
Форм-фактор 2.5"
Интерфейс S-ATA3
Скорость чтения до 560 Мб/с
Скорость записи до 500 Мб/с
Время наработки на отказ 2 100 000 часов при 20гр.Цельсия
Тип памяти Hynix 3d-96L QLC 16k
Физический размер(д*ш*в) 100 * 69.85 * 6.90мм
Вес 33гр.
Страна производства Тайвань
Потребляемая мощность 0.3 - 1.1 Вт.
Дополнительные параметры:
Контроллер: SM2259
Cache: internal SRAM buffer.
Рабочий диапазон температур: от 0oC до 70oC
Non operating temperature: менее -40o C более 85o C.
Совместимость: Serial ATA Revision 2.6.
Совместимо с интерфейсами: SATA 3.0Gb/s и SATA 6.0Gb/s.
Повышенный ресурс благодаря глобальному динамическому и статическому выравниванию износа
Встроенная система управления битый блоками.
Аппаратное исправление ошибок LDPC ECC (Error Corrective code).
Поддержка функции TRIM function support.
Поддержка режима DIPM/HIPM mode support.
Поддержка функции Support S.M.A.R.T. (Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology) ATA feature set.
Поддержка аппаратной установки очерёдности команд (Native Command Queuing (NCQ)).
Восстановление после аварийного выключения питания.
Максимально выдерживаемое электростатичное напряжение (±4KV).